莱姆不停地改进革新，研发出基于霍尔效应的传感器，其性能可与磁通门技术的传感器媲美。这一切得益于基于霍尔效应的ASIC技术的问世。莱姆第一次把ASIC新技术应用于闭环原理的电流传感器，也就是LF xx10系列。此集成电路大幅度提高了产品性能，LEM拥有其专利。

  LF xx10系列实现了全新的突破。与前一代闭环霍尔效应电流传感器相比，在全工作时候的温度范围内，总精度提高了一倍(IPN 的0.4-0.6 %)，最大零漂为IPN的0.1 %。

  该系列产品在性能方面与磁通门相当，同时还为客户提供了更优化的控制和更高的系统效率。具有更加好的性价比，并克服了磁通门噪声、原边电流启动等缺点，而且过载后重启没有延迟。

  +/- 12到+/- 24V的双电源供电(取决于不相同的型号)，与前一代相比，LF xx10系列传感器具有更宽的电流测量范围，如：LF 510-S测量范围达到3倍IPN。由于采用了专用的磁芯和绕组设计，对于di/dt阶跃响应更快，响应时间小于0.5 s。

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